MPBD10N65EF - аналоги и описание IGBT

 

MPBD10N65EF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBD10N65EF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MPBD10N65EF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBD10N65EF даташит

 ..1. Size:843K  cn marching-power
 mpbp10n65ef mpba10n65ef mpbd10n65ef.pdf pdf_icon

MPBD10N65EF

MPBX10N65EF 650V-10A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution G C E TO-220 Type Marking Package Code MPBP10N65EF MP10N65EF TO-220-3 MPBA10N65EF MP10N65EF

Другие IGBT... AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , IRG4PC50W , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.