Справочник IGBT. MPBD10N65EF

 

MPBD10N65EF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBD10N65EF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP10N65EF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 68
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 15
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 28
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 45
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 58
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MPBD10N65EF

 

 

MPBD10N65EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  cn marching-power
 mpbp10n65ef mpba10n65ef mpbd10n65ef.pdf

MPBD10N65EF MPBD10N65EF

MPBX10N65EF650V-10A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCE TO-220Type Marking Package CodeMPBP10N65EF MP10N65EF TO-220-3MPBA10N65EF MP10N65EF

Другие IGBT... AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , TGAN40N60F2DS , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF .

 

 
Back to Top