MPBC15N65EF Todos los transistores

 

MPBC15N65EF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBC15N65EF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 107 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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MPBC15N65EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1071K  cn marching-power
mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf pdf_icon

MPBC15N65EF

MPBX15N65EF650V-15A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCTO-220EType Marking Package CodeCMPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3MPBA15N65EF MP15N

Otros transistores... MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , STGW60V60DF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF .

History: GT80J101 | IGZ50N65H5 | ISL9V2040D3S

 

 
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