MPBC15N65EF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBC15N65EF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 107 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
Encapsulados: TO-263
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MPBC15N65EF datasheet
mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf
MPBX15N65EF 650V-15A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution G C TO-220 E Type Marking Package Code C MPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3 MPBA15N65EF MP15N
Otros transistores... MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , IRG4PC50UD , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF .
History: MPBC6N65ESF | MPBC40N65EH
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