MPBC15N65EF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBC15N65EF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP15N65EF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 107 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 53 nC
Paquete / Cubierta: TO-263
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MPBC15N65EF Datasheet (PDF)
mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf
MPBX15N65EF650V-15A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCTO-220EType Marking Package CodeCMPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3MPBA15N65EF MP15N
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Liste
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