Справочник IGBT. MPBC15N65EF

 

MPBC15N65EF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBC15N65EF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP15N65EF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 107
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 35
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 69
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 53
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MPBC15N65EF

 

 

MPBC15N65EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1071K  cn marching-power
 mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf

MPBC15N65EF MPBC15N65EF

MPBX15N65EF650V-15A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCTO-220EType Marking Package CodeCMPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3MPBA15N65EF MP15N

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top