MPBT20N65EF Todos los transistores

MPBT20N65EF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPBT20N65EF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF

Encapsulados: TO-3P

- Selección ⓘ de transistores por parámetros