Справочник IGBT. MPBT20N65EF

 

MPBT20N65EF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBT20N65EF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP20N65EF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 166
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 39
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 69
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 113
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для MPBT20N65EF

 

 

MPBT20N65EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  cn marching-power
 mpbp20n65ef mpba20n65ef mpbc20n65ef mpbw20n65ef mpbt20n65ef.pdf

MPBT20N65EF MPBT20N65EF

MPBX20N65EF650V-20A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBP20N65EF MP20N65EF TO-220MPBA20N65EF MP20N65EF TO-220FMPBC20N6

Другие IGBT... MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , STGP19NC60KD , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF .

 

 
Back to Top