MPBQ100N120E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBQ100N120E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 377 pF
Encapsulados: TO247
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MPBQ100N120E datasheet
mpbq100n120e.pdf
MPBQ100N120E 1200V-100A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPS positive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsat fast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ100N120E MP100N120E
mpbq120n65gsf.pdf
MPBQ120N65GSF 650V-120A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor drives positive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsat fast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ120
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History: NGTB40N120FLWG | MMG40A120B6C | T1200TB25A
History: NGTB40N120FLWG | MMG40A120B6C | T1200TB25A
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