MPBQ100N120E Todos los transistores

 

MPBQ100N120E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBQ100N120E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 377 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MPBQ100N120E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  cn marching-power
 mpbq100n120e.pdf pdf_icon

MPBQ100N120E

MPBQ100N120E1200V-100A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ100N120E MP100N120E

 9.1. Size:627K  cn marching-power
 mpbq120n65gsf.pdf pdf_icon

MPBQ100N120E

MPBQ120N65GSF650V-120A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ120

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