MPBQ100N120E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBQ100N120E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP100N120E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 535 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 112 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 377 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 583 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBQ100N120E - IGBT
MPBQ100N120E Datasheet (PDF)
mpbq100n120e.pdf
MPBQ100N120E1200V-100A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ100N120E MP100N120E
mpbq120n65gsf.pdf
MPBQ120N65GSF650V-120A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ120
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