MPBQ100N120E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBQ100N120E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 535 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 377 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPBQ100N120E
MPBQ100N120E Datasheet (PDF)
mpbq100n120e.pdf
MPBQ100N120E1200V-100A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ100N120E MP100N120E
mpbq120n65gsf.pdf
MPBQ120N65GSF650V-120A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ120
Другие IGBT... MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , IRG4PC50UD , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2