MPBQ120N65GSF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBQ120N65GSF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 834 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 220 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 473 pF
Encapsulados: TO247
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MPBQ120N65GSF datasheet
mpbq120n65gsf.pdf
MPBQ120N65GSF 650V-120A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor drives positive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsat fast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ120
mpbq100n120e.pdf
MPBQ100N120E 1200V-100A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPS positive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsat fast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ100N120E MP100N120E
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History: TT010N120EQ | TGAN40N65F2DS
History: TT010N120EQ | TGAN40N65F2DS
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