Справочник IGBT. MPBQ120N65GSF

 

MPBQ120N65GSF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBQ120N65GSF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP120N65GSF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 834
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 220
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.3
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 70
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 473
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 404
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MPBQ120N65GSF

 

 

MPBQ120N65GSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  cn marching-power
 mpbq120n65gsf.pdf

MPBQ120N65GSF MPBQ120N65GSF

MPBQ120N65GSF650V-120A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ120

 9.1. Size:837K  cn marching-power
 mpbq100n120e.pdf

MPBQ120N65GSF MPBQ120N65GSF

MPBQ100N120E1200V-100A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ100N120E MP100N120E

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top