MPBQ120N65GSF - аналоги и описание IGBT

 

MPBQ120N65GSF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBQ120N65GSF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 834 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 473 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MPBQ120N65GSF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBQ120N65GSF даташит

 ..1. Size:627K  cn marching-power
 mpbq120n65gsf.pdf pdf_icon

MPBQ120N65GSF

MPBQ120N65GSF 650V-120A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor drives positive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsat fast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ120

 9.1. Size:837K  cn marching-power
 mpbq100n120e.pdf pdf_icon

MPBQ120N65GSF

MPBQ100N120E 1200V-100A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPS positive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsat fast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ100N120E MP100N120E

Другие IGBT... MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , SGT40N60FD2PT , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.