Справочник IGBT. MPBQ120N65GSF

 

MPBQ120N65GSF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBQ120N65GSF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 834 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 220 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 473 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MPBQ120N65GSF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  cn marching-power
 mpbq120n65gsf.pdf pdf_icon

MPBQ120N65GSF

MPBQ120N65GSF650V-120A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ120

 9.1. Size:837K  cn marching-power
 mpbq100n120e.pdf pdf_icon

MPBQ120N65GSF

MPBQ100N120E1200V-100A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ100N120E MP100N120E

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MPGW40N65E | FGH40N65UFDTU | MPBW50N65E | HGT1S10N120BNS | MSG80N350FH | FGD3N60UNDF

 

 
Back to Top

 


 
.