MPBQ75N120E Todos los transistores

 

MPBQ75N120E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPBQ75N120E

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.58 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 86 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 253 pF

Encapsulados: TO247

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MPBQ75N120E datasheet

 ..1. Size:845K  cn marching-power
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MPBQ75N120E

MPBQ75N120E 1200V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPS positive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsat fast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ75N120E MP75N120E TO-2

 4.1. Size:2008K  cn marching-power
 mpbq75n120bf.pdf pdf_icon

MPBQ75N120E

MPBQ75N120BF 1200V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converter positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching Solar Inverter High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ75N120BF MP75N120BF

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History: AOK75B65H1 | MPBQ120N65GSF | AOKS40B60D1

 

 

 

 

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