MPBQ75N120E Todos los transistores

 

MPBQ75N120E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBQ75N120E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.58 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 86 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 253 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPBQ75N120E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:845K  cn marching-power
 mpbq75n120e.pdf pdf_icon

MPBQ75N120E

MPBQ75N120E1200V-75A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ75N120E MP75N120E TO-2

 4.1. Size:2008K  cn marching-power
 mpbq75n120bf.pdf pdf_icon

MPBQ75N120E

MPBQ75N120BF1200V-75A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching Solar Inverter High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ75N120BF MP75N120BF

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History: HGTM12N50E1 | SME6G15US60

 

 
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