MPBQ75N120E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBQ75N120E
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: MP75N120E
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 416
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.58
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 86
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 253
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 750
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPBQ75N120E
MPBQ75N120E Datasheet (PDF)
mpbq75n120e.pdf
MPBQ75N120E1200V-75A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ75N120E MP75N120E TO-2
mpbq75n120bf.pdf
MPBQ75N120BF1200V-75A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching Solar Inverter High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ75N120BF MP75N120BF
Другие IGBT... MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , YGW40N65F1A1 , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB