MPBQ75N120E - аналоги и описание IGBT

 

MPBQ75N120E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBQ75N120E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.58 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 86 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 253 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MPBQ75N120E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBQ75N120E даташит

 ..1. Size:845K  cn marching-power
 mpbq75n120e.pdf pdf_icon

MPBQ75N120E

MPBQ75N120E 1200V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPS positive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsat fast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ75N120E MP75N120E TO-2

 4.1. Size:2008K  cn marching-power
 mpbq75n120bf.pdf pdf_icon

MPBQ75N120E

MPBQ75N120BF 1200V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converter positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching Solar Inverter High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ75N120BF MP75N120BF

Другие IGBT... MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , GT60N321 , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU .

History: ISL9V3036S3S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.