MPBW15N120BF Todos los transistores

 

MPBW15N120BF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBW15N120BF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: MP15N120BF
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 214 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.82 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 81 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 94 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPBW15N120BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  cn marching-power
 mpbw15n120bf.pdf pdf_icon

MPBW15N120BF

MPBW15N120BF1200V-15A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW15N120BF MP15N120BF TO-247-3Maximum Rated Values

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