MPBW15N120BF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW15N120BF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP15N120BF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 214 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.82 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 65
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 81
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 94
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBW15N120BF - IGBT
MPBW15N120BF Datasheet (PDF)
mpbw15n120bf.pdf
MPBW15N120BF1200V-15A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW15N120BF MP15N120BF TO-247-3Maximum Rated Values
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