MPBW15N120BF Todos los transistores

 

MPBW15N120BF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPBW15N120BF

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 214 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.82 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 81 pF

Encapsulados: TO247

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MPBW15N120BF datasheet

 ..1. Size:691K  cn marching-power
 mpbw15n120bf.pdf pdf_icon

MPBW15N120BF

MPBW15N120BF 1200V-15A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converter positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW15N120BF MP15N120BF TO-247-3 Maximum Rated Values

Otros transistores... MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , CRG75T65AK5HD , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E .

History: MPBQ120N65GSF | AOKS40B60D1 | AOK75B65H1

 

 

 

 

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