MPBW15N120BF - аналоги и описание IGBT

 

MPBW15N120BF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBW15N120BF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.82 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MPBW15N120BF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBW15N120BF даташит

 ..1. Size:691K  cn marching-power
 mpbw15n120bf.pdf pdf_icon

MPBW15N120BF

MPBW15N120BF 1200V-15A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converter positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW15N120BF MP15N120BF TO-247-3 Maximum Rated Values

Другие IGBT... MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , CRG75T65AK5HD , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E .

History: AFGHL75T65SQ | JT075K120F2MA1E | NCE40TD120BT | IXXH50N60B3 | SKM195GAR063DN | SME6G30US60 | MPBW25N120B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.