MPBW15N120BF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBW15N120BF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: MP15N120BF
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.82 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 81 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 94 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPBW15N120BF
MPBW15N120BF Datasheet (PDF)
mpbw15n120bf.pdf
MPBW15N120BF1200V-15A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW15N120BF MP15N120BF TO-247-3Maximum Rated Values
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2