MPBW30N120E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW30N120E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP30N120E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 333 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 365 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBW30N120E - IGBT
MPBW30N120E Datasheet (PDF)
mpbw30n120e.pdf
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mpbw30n65e.pdf
MPBW30N65E650V-30A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW30N65E MP30N65E TO-247-3
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