MPBW30N120E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MPBW30N120E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP30N120E
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 365 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам