MPBW30N65E Todos los transistores

 

MPBW30N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBW30N65E
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: MP30N65E
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.36 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 109 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 96 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPBW30N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1469K  cn marching-power
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MPBW30N65E

MPBW30N65E650V-30A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW30N65E MP30N65E TO-247-3

 7.1. Size:522K  cn marching-power
 mpbw30n120e.pdf pdf_icon

MPBW30N65E

MPBW30N120E1200V-30A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Weldingpositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking PackageMPBW30N120E MP30N120E TO-247-3LMaximum Rated ValuesParameter Symbol Value Uni

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History: IXGH24N60B | IXGH24N50BU1

 

 
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