MPBW30N65E Todos los transistores

 

MPBW30N65E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPBW30N65E

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.36 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 47 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 109 pF

Encapsulados: TO247

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MPBW30N65E datasheet

 ..1. Size:1469K  cn marching-power
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MPBW30N65E

MPBW30N65E 650V-30A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW30N65E MP30N65E TO-247-3

 7.1. Size:522K  cn marching-power
 mpbw30n120e.pdf pdf_icon

MPBW30N65E

MPBW30N120E 1200V-30A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Welding positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package MPBW30N120E MP30N120E TO-247-3L Maximum Rated Values Parameter Symbol Value Uni

Otros transistores... MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , GT30F125 , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH .

History: AOKS40B60D1 | AOK75B65H1 | MPBQ120N65GSF | MPBW15N120BF

 

 

 

 

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