Справочник IGBT. MPBW30N65E

 

MPBW30N65E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBW30N65E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP30N65E
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.36 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 109 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 96 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MPBW30N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1469K  cn marching-power
 mpbw30n65e.pdf pdf_icon

MPBW30N65E

MPBW30N65E650V-30A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW30N65E MP30N65E TO-247-3

 7.1. Size:522K  cn marching-power
 mpbw30n120e.pdf pdf_icon

MPBW30N65E

MPBW30N120E1200V-30A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Weldingpositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking PackageMPBW30N120E MP30N120E TO-247-3LMaximum Rated ValuesParameter Symbol Value Uni

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.