MPBW30N65E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBW30N65E
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: MP30N65E
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.36 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 109 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 96 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPBW30N65E
MPBW30N65E Datasheet (PDF)
mpbw30n65e.pdf
MPBW30N65E650V-30A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW30N65E MP30N65E TO-247-3
mpbw30n120e.pdf
MPBW30N120E1200V-30A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Weldingpositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking PackageMPBW30N120E MP30N120E TO-247-3LMaximum Rated ValuesParameter Symbol Value Uni
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2