MPBW30N65E - аналоги и описание IGBT

 

MPBW30N65E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBW30N65E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.36 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 109 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MPBW30N65E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBW30N65E даташит

 ..1. Size:1469K  cn marching-power
 mpbw30n65e.pdf pdf_icon

MPBW30N65E

MPBW30N65E 650V-30A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBW30N65E MP30N65E TO-247-3

 7.1. Size:522K  cn marching-power
 mpbw30n120e.pdf pdf_icon

MPBW30N65E

MPBW30N120E 1200V-30A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Welding positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package MPBW30N120E MP30N120E TO-247-3L Maximum Rated Values Parameter Symbol Value Uni

Другие IGBT... MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , GT30F125 , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH .

History: JT075N120F2MA1E | ISL9V3036S3S | MPBQ75N120E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.