MPBW40N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPBW40N65E
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: MP40N65E
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 55
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 150
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 110
   Paquete / Cubierta: TO247

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MPBW40N65E Datasheet (PDF)

..1. Size:994K cn marching-power
mpbw40n65e.pdf

MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

5.1. Size:719K cn marching-power
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