MPBW40N65E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBW40N65E
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: MP40N65E
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MPBW40N65E Datasheet (PDF)
mpbw40n65e.pdf
MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3
mpbw40n65bu.pdf
MPBW40N65BU 650V 40AIGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BUMP40N65BUTO2471
mpbw40n65bh.pdf
MPBW40N65BH 650V 40A IGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BH MP40N65BH TO-247 1 -
mpbw40n60bf.pdf
MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -
Другие IGBT... MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , GT60N321 , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , MPGW40N65E , DAG075F065P1 .
History: IXGT20N60BD1
History: IXGT20N60BD1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984