MPBW40N65E - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

MPBW40N65E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MPBW40N65E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP40N65E
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 55
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 150
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 110
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MPBW40N65E

MPBW40N65E Datasheet (PDF)

..1. Size:994K cn marching-power
mpbw40n65e.pdf

MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

5.1. Size:719K cn marching-power
mpbw40n65bu.pdf