MPGC50N65E Todos los transistores

 

MPGC50N65E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPGC50N65E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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Principales características: MPGC50N65E

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MPGC50N65E

MPGC50N65E 650V-50A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution C Type Marking Package Code MPGC50N65E MPG50N65E TO-263

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