MPGC50N65E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPGC50N65E  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF

Encapsulados: TO-263

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MPGC50N65E datasheet

 ..1. Size:1035K  cn marching-power
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MPGC50N65E

MPGC50N65E 650V-50A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution C Type Marking Package Code MPGC50N65E MPG50N65E TO-263

Otros transistores... MPBW40N120ES, MPBW40N65BU, MPBW40N65E, MPBW50N65E, MPBW50N65ED, MPBW50N65EH, MPBW50N65ES, MPBW75N65E, FGL60N100BNTD, MPGW40N65E, DAG075F065P1, DAHF075G120SA, DAHF100G120SA, DAHF150G120SA, DAHF150G120SB, DAHF200G120SB, DAHF225G120SB