MPGC50N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPGC50N65E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MPG50N65E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 62
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 175
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 230
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MPGC50N65E - IGBT
MPGC50N65E Datasheet (PDF)
mpgc50n65e.pdf
MPGC50N65E650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionCType Marking Package CodeMPGC50N65E MPG50N65E TO-263
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