MPGC50N65E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MPGC50N65E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MPG50N65E
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 230 nC
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам