Справочник IGBT. MPGC50N65E

 

MPGC50N65E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPGC50N65E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MPG50N65E
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 230 nC
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MPGC50N65E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPGC50N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1035K  cn marching-power
 mpgc50n65e.pdf pdf_icon

MPGC50N65E

MPGC50N65E650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionCType Marking Package CodeMPGC50N65E MPG50N65E TO-263

Другие IGBT... MPBW40N120ES , MPBW40N65BU , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , IRGP4062D , MPGW40N65E , DAG075F065P1 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB .

 

 
Back to Top

 


 
.