MPGW40N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPGW40N65E
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: MPG40N65E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 55
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 150
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 110
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPGW40N65E - IGBT
MPGW40N65E Datasheet (PDF)
mpgw40n65e.pdf
MPGW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPGW40N65E MPG40N65E TO-247-3
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