MPGW40N65E Todos los transistores

 

MPGW40N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPGW40N65E
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: MPG40N65E
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MPGW40N65E - IGBT

 

MPGW40N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  cn marching-power
 mpgw40n65e.pdf pdf_icon

MPGW40N65E

MPGW40N65E 650V-40A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPGW40N65E MPG40N65E TO-247-3

Otros transistores... MPBW40N65BU , MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , IRGP4062D , DAG075F065P1 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB , DAHF300G120SB .

 

 
Back to Top

 


 
.