MPGW40N65E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPGW40N65E
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: MPG40N65E
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 55
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 150
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 110
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPGW40N65E
MPGW40N65E Datasheet (PDF)
mpgw40n65e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MPGW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPGW40N65E MPG40N65E TO-247-3
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![MPGW40N65E](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MPGW40N65E](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MPGW40N65E](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB