DAG075F065P1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAG075F065P1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 468 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 187 pF

Encapsulados: TO247

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DAG075F065P1 datasheet

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DAG075F065P1

DAG075F065P1 Power Pack Silicon Trench Field FS IGBT TO-247-3L IGBT 650V / 75A Features Fast Switching Field Stop IGBT Trench Technology Low Saturation Voltage G = Gate, C = Collector, E = Emitter VCE(sat) = 2.0V @ IC = 75A Low Switching Loss Superfast Diodes High Efficient Turn-on di/dt Controllability Applications Photovoltaic converters

Otros transistores... MPBW40N65E, MPBW50N65E, MPBW50N65ED, MPBW50N65EH, MPBW50N65ES, MPBW75N65E, MPGC50N65E, MPGW40N65E, IRG4PF50W, DAHF075G120SA, DAHF100G120SA, DAHF150G120SA, DAHF150G120SB, DAHF200G120SB, DAHF225G120SB, DAHF300G120SB, DAZF075G120SCA