DAG075F065P1 Todos los transistores

 

DAG075F065P1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAG075F065P1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 468 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 187 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 156 nC
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de DAG075F065P1 - IGBT

 

DAG075F065P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:986K  dacosemi
 dag075f065p1.pdf pdf_icon

DAG075F065P1

DAG075F065P1 Power Pack Silicon Trench Field FS IGBT TO-247-3L IGBT 650V / 75A Features Fast Switching Field Stop IGBT Trench Technology Low Saturation Voltage G = Gate, C = Collector, E = Emitter VCE(sat) = 2.0V @ IC = 75A Low Switching Loss Superfast Diodes High Efficient Turn-on di/dt Controllability Applications Photovoltaic converters

Otros transistores... MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , MPGW40N65E , GT30F132 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB , DAHF300G120SB , DAZF075G120SCA .

History: MPBW50N65E | MPBW40N65BU

 

 
Back to Top

 


 
.