DAG075F065P1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DAG075F065P1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 468 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 187 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 156 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DAG075F065P1 IGBT
DAG075F065P1 Datasheet (PDF)
dag075f065p1.pdf
DAG075F065P1Power Pack Silicon Trench Field FS IGBTTO-247-3LIGBT 650V / 75A Features Fast Switching Field Stop IGBT Trench TechnologyLow Saturation Voltage: G = Gate, C = Collector, E = EmitterVCE(sat) = 2.0V @ IC = 75A Low Switching Loss Superfast Diodes High Efficient Turn-on di/dt ControllabilityApplications Photovoltaic converters
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Liste
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