Справочник IGBT. DAG075F065P1

 

DAG075F065P1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DAG075F065P1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 187 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DAG075F065P1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DAG075F065P1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:986K  dacosemi
 dag075f065p1.pdf pdf_icon

DAG075F065P1

DAG075F065P1Power Pack Silicon Trench Field FS IGBTTO-247-3LIGBT 650V / 75A Features Fast Switching Field Stop IGBT Trench TechnologyLow Saturation Voltage: G = Gate, C = Collector, E = EmitterVCE(sat) = 2.0V @ IC = 75A Low Switching Loss Superfast Diodes High Efficient Turn-on di/dt ControllabilityApplications Photovoltaic converters

Другие IGBT... MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , MPGW40N65E , IRGP4063 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB , DAHF300G120SB , DAZF075G120SCA .

 

 
Back to Top

 


 
.