DAG075F065P1 - аналоги и описание IGBT

 

DAG075F065P1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DAG075F065P1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 187 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DAG075F065P1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DAG075F065P1 даташит

 ..1. Size:986K  dacosemi
 dag075f065p1.pdf pdf_icon

DAG075F065P1

DAG075F065P1 Power Pack Silicon Trench Field FS IGBT TO-247-3L IGBT 650V / 75A Features Fast Switching Field Stop IGBT Trench Technology Low Saturation Voltage G = Gate, C = Collector, E = Emitter VCE(sat) = 2.0V @ IC = 75A Low Switching Loss Superfast Diodes High Efficient Turn-on di/dt Controllability Applications Photovoltaic converters

Другие IGBT... MPBW40N65E , MPBW50N65E , MPBW50N65ED , MPBW50N65EH , MPBW50N65ES , MPBW75N65E , MPGC50N65E , MPGW40N65E , GT30F132 , DAHF075G120SA , DAHF100G120SA , DAHF150G120SA , DAHF150G120SB , DAHF200G120SB , DAHF225G120SB , DAHF300G120SB , DAZF075G120SCA .

History: DAHF150G120SA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.