2SH30 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH30
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 280 nS
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SH30 - IGBT
2SH30 Datasheet (PDF)
2sh30.pdf
2SH30Silicon N Channel IGBTHigh Speed Power SwitchingADE-208-792A(Z)2nd. EditionMay 1999Features High speed switching Low on-voltageOutlineTO3PCG1. GateE12. Collector (Flange)23. Emitter32SH30Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item Symbol Ratings UnitCollector to Emitter voltage VCES 600 VGate to Emitter voltage VGES 20 VCollecto
Otros transistores... 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , FGL60N100BNTD , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2