2SH30 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SH30
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 280 nS
Encapsulados: TO3P
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2SH30 datasheet
2sh30.pdf
2SH30 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching ADE-208-792A(Z) 2nd. Edition May 1999 Features High speed switching Low on-voltage Outline TO 3P C G 1. Gate E 1 2. Collector (Flange) 2 3. Emitter 3 2SH30 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to Emitter voltage VCES 600 V Gate to Emitter voltage VGES 20 V Collecto
Otros transistores... 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , NGTB75N65FL2 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D .
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