Справочник IGBT. 2SH30

 

2SH30 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2SH30
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 280 nS
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SH30

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2SH30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  hitachi
 2sh30.pdf pdf_icon

2SH30

2SH30Silicon N Channel IGBTHigh Speed Power SwitchingADE-208-792A(Z)2nd. EditionMay 1999Features High speed switching Low on-voltageOutlineTO3PCG1. GateE12. Collector (Flange)23. Emitter32SH30Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item Symbol Ratings UnitCollector to Emitter voltage VCES 600 VGate to Emitter voltage VGES 20 VCollecto

Другие IGBT... 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , IKW40T120 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D .

History: IXGX320N60A3

 

 
Back to Top

 


 
.