2SH30 - аналоги и описание IGBT

 

2SH30 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2SH30

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 280 nS

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 2SH30

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2SH30 даташит

 ..1. Size:48K  hitachi
 2sh30.pdf pdf_icon

2SH30

2SH30 Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching ADE-208-792A(Z) 2nd. Edition May 1999 Features High speed switching Low on-voltage Outline TO 3P C G 1. Gate E 1 2. Collector (Flange) 2 3. Emitter 3 2SH30 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to Emitter voltage VCES 600 V Gate to Emitter voltage VGES 20 V Collecto

Другие IGBT... 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , NGTB75N65FL2 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE , IGC07R60D .

History: APT11GF120BRD | IXST30N60B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.