IXGT20N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT20N100  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 100 pF

Encapsulados: TO268

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IXGT20N100 datasheet

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IXGT20N100

IXGH 20N100 VCES = 1000 V IGBT IXGT 20N100 IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 280 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A S

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IXGT20N100

IXGH 20N100 VCES = 1000 V IGBT IXGT 20N100 IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 280 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A S

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IXGT20N100

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

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IXGT20N100

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

Otros transistores... IXGR32N60C, IXGR32N60CD1, IXGR40N60BD1, IXGR60N60U1, IXGT15N120B, IXGT15N120BD1, IXGT15N120C, IXGT15N120CD1, GT50JR22, IXGT20N60B, IXGT20N60BD1, IXGT24N60C, IXGT24N60CD1, IXGT28N30, IXGT28N30A, IXGT28N30B, IXGT28N60B