IXGT20N100 - аналоги и описание IGBT

 

IXGT20N100 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT20N100

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT20N100

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT20N100 даташит

 ..1. Size:53K  ixys
 ixgh20n100 ixgt20n100.pdf pdf_icon

IXGT20N100

IXGH 20N100 VCES = 1000 V IGBT IXGT 20N100 IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 280 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A S

 ..2. Size:52K  ixys
 ixgt20n100.pdf pdf_icon

IXGT20N100

IXGH 20N100 VCES = 1000 V IGBT IXGT 20N100 IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 280 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A S

 6.1. Size:565K  ixys
 ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGT20N100

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

 6.2. Size:568K  ixys
 ixgh20n120b ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGT20N100

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR32N60C , IXGR32N60CD1 , IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 , IXGT15N120C , IXGT15N120CD1 , GT30J127 , IXGT20N60B , IXGT20N60BD1 , IXGT24N60C , IXGT24N60CD1 , IXGT28N30 , IXGT28N30A , IXGT28N30B , IXGT28N60B .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.