AOB30B65LN2V Todos los transistores

 

AOB30B65LN2V - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOB30B65LN2V
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.86 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 92 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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AOB30B65LN2V Datasheet (PDF)

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AOB30B65LN2V

AOB30B65LN2VTM650V, 30A AlphaIGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE AEC-Q101 qualified 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 30AC) Low Vce(sat) and fast turn-on speedVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Very low Vf and Qrr Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior High ruggedness and temperature stable behav

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