AOB30B65LN2V Todos los transistores

 

AOB30B65LN2V IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOB30B65LN2V

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.86 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 92 pF

Encapsulados: TO263

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AOB30B65LN2V datasheet

 ..1. Size:831K  aosemi
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AOB30B65LN2V

AOB30B65LN2V TM 650V, 30A AlphaIGBT AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VCE AEC-Q101 qualified 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 30A C) Low Vce(sat) and fast turn-on speed VCE(sat) (TJ=25 1.86V C) Very low Vf and Qrr Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior High ruggedness and temperature stable behav

Otros transistores... DAZF100G120SCA , DAZF100G120XCA , DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , FGA25N120ANTD , AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E .

 

 

 

 

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