AOB30B65LN2V - аналоги и описание IGBT

 

AOB30B65LN2V - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOB30B65LN2V

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.86 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 92 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для AOB30B65LN2V

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOB30B65LN2V даташит

 ..1. Size:831K  aosemi
 aob30b65ln2v.pdf pdf_icon

AOB30B65LN2V

AOB30B65LN2V TM 650V, 30A AlphaIGBT AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VCE AEC-Q101 qualified 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 30A C) Low Vce(sat) and fast turn-on speed VCE(sat) (TJ=25 1.86V C) Very low Vf and Qrr Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior High ruggedness and temperature stable behav

Другие IGBT... DAZF100G120SCA , DAZF100G120XCA , DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , FGA25N120ANTD , AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.