Справочник IGBT. AOB30B65LN2V

 

AOB30B65LN2V Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOB30B65LN2V
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.86 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 92 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOB30B65LN2V

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOB30B65LN2V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  aosemi
 aob30b65ln2v.pdf pdf_icon

AOB30B65LN2V

AOB30B65LN2VTM650V, 30A AlphaIGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE AEC-Q101 qualified 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 30AC) Low Vce(sat) and fast turn-on speedVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Very low Vf and Qrr Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior High ruggedness and temperature stable behav

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MG100Q2YS40 | F3L100R07W2E3-B11

 

 
Back to Top

 


 
.