Справочник IGBT. AOB30B65LN2V

 

AOB30B65LN2V - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOB30B65LN2V
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.86 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 92 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для AOB30B65LN2V

 

 

AOB30B65LN2V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  aosemi
 aob30b65ln2v.pdf

AOB30B65LN2V AOB30B65LN2V

AOB30B65LN2VTM650V, 30A AlphaIGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE AEC-Q101 qualified 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 30AC) Low Vce(sat) and fast turn-on speedVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Very low Vf and Qrr Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior High ruggedness and temperature stable behav

Другие IGBT... DAZF100G120SCA , DAZF100G120XCA , DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , CRG40T60AN3H , AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E .

 

 
Back to Top