AOBS30B65LN Todos los transistores

 

AOBS30B65LN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOBS30B65LN
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.86 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 77 pF
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOBS30B65LN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  aosemi
 aobs30b65ln.pdf pdf_icon

AOBS30B65LN

AOBS30B65LNTM650V, 30A Alpha IGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE 650V breakdown voltage 650V Low Vce(sat) and fast turn-on speedIC (TC=100 30AC) High ruggedness and temperature stable behaviorVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Automotive qualifiedApplications Discharge switch Relay replacement PTC heaterTO-263C D2PAK

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IRG7PH28UD1 | APT40GP90BG

 

 
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