AOBS30B65LN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOBS30B65LN
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.86 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 77 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 52 nC
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de AOBS30B65LN - IGBT
AOBS30B65LN Datasheet (PDF)
aobs30b65ln.pdf
AOBS30B65LNTM650V, 30A Alpha IGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE 650V breakdown voltage 650V Low Vce(sat) and fast turn-on speedIC (TC=100 30AC) High ruggedness and temperature stable behaviorVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Automotive qualifiedApplications Discharge switch Relay replacement PTC heaterTO-263C D2PAK
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Liste
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