AOBS30B65LN Todos los transistores

 

AOBS30B65LN IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOBS30B65LN

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 227 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.86 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 77 pF

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de AOBS30B65LN IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOBS30B65LN datasheet

 ..1. Size:529K  aosemi
 aobs30b65ln.pdf pdf_icon

AOBS30B65LN

AOBS30B65LN TM 650V, 30A Alpha IGBT AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VCE 650V breakdown voltage 650V Low Vce(sat) and fast turn-on speed IC (TC=100 30A C) High ruggedness and temperature stable behavior VCE(sat) (TJ=25 1.86V C) Automotive qualified Applications Discharge switch Relay replacement PTC heater TO-263 C D2PAK

Otros transistores... DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , AOB30B65LN2V , AOB5B65M1 , SGT40N60NPFDPN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.