AOBS30B65LN - аналоги и описание IGBT

 

AOBS30B65LN - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOBS30B65LN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.86 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 77 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для AOBS30B65LN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOBS30B65LN даташит

 ..1. Size:529K  aosemi
 aobs30b65ln.pdf pdf_icon

AOBS30B65LN

AOBS30B65LN TM 650V, 30A Alpha IGBT AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VCE 650V breakdown voltage 650V Low Vce(sat) and fast turn-on speed IC (TC=100 30A C) High ruggedness and temperature stable behavior VCE(sat) (TJ=25 1.86V C) Automotive qualified Applications Discharge switch Relay replacement PTC heater TO-263 C D2PAK

Другие IGBT... DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , AOB30B65LN2V , AOB5B65M1 , SGT40N60NPFDPN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.