Справочник IGBT. AOBS30B65LN

 

AOBS30B65LN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOBS30B65LN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.86 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 77 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOBS30B65LN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOBS30B65LN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  aosemi
 aobs30b65ln.pdf pdf_icon

AOBS30B65LN

AOBS30B65LNTM650V, 30A Alpha IGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE 650V breakdown voltage 650V Low Vce(sat) and fast turn-on speedIC (TC=100 30AC) High ruggedness and temperature stable behaviorVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Automotive qualifiedApplications Discharge switch Relay replacement PTC heaterTO-263C D2PAK

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: 7MBR75U2B060 | APT12GT60BRG | CM1800HCB-34N | IGC114T170S8RM | APT50GP60BG | AOK20B65M1 | JT010N065SED

 

 
Back to Top

 


 
.