Справочник IGBT. AOBS30B65LN

 

AOBS30B65LN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOBS30B65LN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.86 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 77 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AOBS30B65LN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOBS30B65LN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:529K  aosemi
 aobs30b65ln.pdf pdf_icon

AOBS30B65LN

AOBS30B65LNTM650V, 30A Alpha IGBTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVCE 650V breakdown voltage 650V Low Vce(sat) and fast turn-on speedIC (TC=100 30AC) High ruggedness and temperature stable behaviorVCE(sat) (TJ=25 1.86VC) Automotive qualifiedApplications Discharge switch Relay replacement PTC heaterTO-263C D2PAK

Другие IGBT... DAZF100G170XCA , DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , AOB30B65LN2V , AOB5B65M1 , RJP30H1DPD , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 .

History: HYG15P120B1K1 | ISL9V5036P3 | MMG300D170B6EN | ISL9V5036P3-F085 | ISL9V3040D3STV | NGTB25N120FL2

 

 
Back to Top

 


 
.