AOD6B60M1 Todos los transistores

 

AOD6B60M1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD6B60M1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.1 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 14 nC
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOD6B60M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  aosemi
 aod6b60m1.pdf pdf_icon

AOD6B60M1

AOD6B60M1TM600V, 6A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) Technology 600V 600V Breakdown VoltageIC (TC=100C) 6A Very Fast and Soft Recovery Freewheeling DiodeVCE(sat) (TJ=25C) 1.7V High Efficient Turn-On di/dt Controllability Low VCE(sat) Enables High Efficiencies L

 8.1. Size:778K  aosemi
 aod6b65mq1e.pdf pdf_icon

AOD6B60M1

AOD6B65MQ1ETM 650V, 6A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 6AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 1.9VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses H

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History: IXGP30N60C3D4

 

 
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