AOD6B60M1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AOD6B60M1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.1 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 14 nC
Тип корпуса: TO252
AOD6B60M1 Datasheet (PDF)
aod6b60m1.pdf
AOD6B60M1TM600V, 6A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) Technology 600V 600V Breakdown VoltageIC (TC=100C) 6A Very Fast and Soft Recovery Freewheeling DiodeVCE(sat) (TJ=25C) 1.7V High Efficient Turn-On di/dt Controllability Low VCE(sat) Enables High Efficiencies L
aod6b65mq1e.pdf
AOD6B65MQ1ETM 650V, 6A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 6AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 1.9VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses H
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2