AOD6B60M1 - аналоги и описание IGBT

 

AOD6B60M1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOD6B60M1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AOD6B60M1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOD6B60M1 даташит

 ..1. Size:1189K  aosemi
 aod6b60m1.pdf pdf_icon

AOD6B60M1

AOD6B60M1 TM 600V, 6A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) Technology 600V 600V Breakdown Voltage IC (TC=100 C) 6A Very Fast and Soft Recovery Freewheeling Diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.7V High Efficient Turn-On di/dt Controllability Low VCE(sat) Enables High Efficiencies L

 8.1. Size:778K  aosemi
 aod6b65mq1e.pdf pdf_icon

AOD6B60M1

AOD6B65MQ1E TM 650V, 6A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 6A C) IGBT copacked with very fast and soft antiparallel VCE(sat) (TJ=25 1.9V C) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses H

Другие IGBT... AOB20B65M1 , AOB30B65LN2V , AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , FGA60N65SMD , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL , AOGF60B65H2AL , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.