AOD8B65MQ1 Todos los transistores

 

AOD8B65MQ1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD8B65MQ1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AOD8B65MQ1 Datasheet (PDF)

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AOD8B65MQ1

AOD8B65MQ1TM 650V, 8A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 8AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 1.8VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses Hi

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History: IXGX32N170AH1 | STGW75H65DFB2-4 | RJH60F5BDPQ-A0 | IRGP4066D-EPBF

 

 
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