AOD8B65MQ1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD8B65MQ1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 22 nC
Paquete / Cubierta: TO252
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AOD8B65MQ1 Datasheet (PDF)
aod8b65mq1.pdf
AOD8B65MQ1TM 650V, 8A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 8AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 1.8VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses Hi
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Liste
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