AOD8B65MQ1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD8B65MQ1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 89 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
Encapsulados: TO252
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AOD8B65MQ1 datasheet
aod8b65mq1.pdf
AOD8B65MQ1 TM 650V, 8A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 8A C) IGBT copacked with very fast and soft antiparallel VCE(sat) (TJ=25 1.8V C) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses Hi
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