AOD8B65MQ1 - аналоги и описание IGBT

 

AOD8B65MQ1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOD8B65MQ1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AOD8B65MQ1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOD8B65MQ1 даташит

 ..1. Size:596K  aosemi
 aod8b65mq1.pdf pdf_icon

AOD8B65MQ1

AOD8B65MQ1 TM 650V, 8A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 8A C) IGBT copacked with very fast and soft antiparallel VCE(sat) (TJ=25 1.8V C) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses Hi

Другие IGBT... AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , IHW20N120R3 , AOGF40B65H2AL , AOGF60B65H2AL , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , AOK20B135E1 , AOK20B65M1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.