Справочник IGBT. AOD8B65MQ1

 

AOD8B65MQ1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOD8B65MQ1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 22 nC
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AOD8B65MQ1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOD8B65MQ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:596K  aosemi
 aod8b65mq1.pdf pdf_icon

AOD8B65MQ1

AOD8B65MQ1TM 650V, 8A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 8AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 1.8VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses Hi

Другие IGBT... AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , SGT50T65FD1PN , AOGF40B65H2AL , AOGF60B65H2AL , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , AOK20B135E1 , AOK20B65M1 .

 

 
Back to Top

 


 
.