AOGF40B65H2AL Todos los transistores

 

AOGF40B65H2AL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOGF40B65H2AL
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 115 pF
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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AOGF40B65H2AL Datasheet (PDF)

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AOGF40B65H2AL

AOGF40B65H2ALTM650 V, 40A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 40AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 2.05VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L

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History: HYG15P120B1K1 | FGW25N120W | MMG300D120B6UN | STGB18N40LZT4

 

 
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