Справочник IGBT. AOGF40B65H2AL

 

AOGF40B65H2AL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOGF40B65H2AL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для AOGF40B65H2AL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOGF40B65H2AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  aosemi
 aogf40b65h2al.pdf pdf_icon

AOGF40B65H2AL

AOGF40B65H2ALTM650 V, 40A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 40AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 2.05VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L

Другие IGBT... AOD5B65M1E , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , FGA60N65SMD , AOGF60B65H2AL , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , AOK20B135E1 , AOK20B65M1 , AOK20B65M2 .

 

 
Back to Top

 


 
.