AOGF60B65H2AL Todos los transistores

 

AOGF60B65H2AL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOGF60B65H2AL
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 74 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 185 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 84 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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AOGF60B65H2AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  aosemi
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AOGF60B65H2AL

AOGF60B65H2ALTM 650V, 60A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE650V Latest AlphaIGBT (IGBT) Technology 650V breakdown voltageIC (TC=100 60AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L

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History: TGAN80N60F2DS | FGA25S125P | APT13GP120KG | IXGN400N60B3 | IRG7PH46UD-E | SPT40N120T1BT8TL | IXXH75N60B3D1

 

 
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