AOGF60B65H2AL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOGF60B65H2AL
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 74 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 185 pF
Paquete / Cubierta: TO3PF
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AOGF60B65H2AL Datasheet (PDF)
aogf60b65h2al.pdf
AOGF60B65H2ALTM 650V, 60A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE650V Latest AlphaIGBT (IGBT) Technology 650V breakdown voltageIC (TC=100 60AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L
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Liste
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