AOGF60B65H2AL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOGF60B65H2AL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 74 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 185 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 84 nC
Paquete / Cubierta: TO3PF
Búsqueda de reemplazo de AOGF60B65H2AL - IGBT
AOGF60B65H2AL Datasheet (PDF)
aogf60b65h2al.pdf
AOGF60B65H2ALTM 650V, 60A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE650V Latest AlphaIGBT (IGBT) Technology 650V breakdown voltageIC (TC=100 60AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2