AOGF60B65H2AL - аналоги и описание IGBT

 

AOGF60B65H2AL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOGF60B65H2AL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 185 pF

Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для AOGF60B65H2AL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOGF60B65H2AL даташит

 ..1. Size:620K  aosemi
 aogf60b65h2al.pdf pdf_icon

AOGF60B65H2AL

AOGF60B65H2AL TM 650V, 60A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE 650V Latest AlphaIGBT ( IGBT) Technology 650V breakdown voltage IC (TC=100 60A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.95V C) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L

Другие IGBT... AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL , FGH60N60SFD , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , AOK20B135E1 , AOK20B65M1 , AOK20B65M2 , AOK30B120D2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.