Справочник IGBT. AOGF60B65H2AL

 

AOGF60B65H2AL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOGF60B65H2AL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 185 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 84 nC
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для AOGF60B65H2AL

 

 

AOGF60B65H2AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  aosemi
 aogf60b65h2al.pdf

AOGF60B65H2AL AOGF60B65H2AL

AOGF60B65H2ALTM 650V, 60A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE650V Latest AlphaIGBT (IGBT) Technology 650V breakdown voltageIC (TC=100 60AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed L

Другие IGBT... AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL , FGH60N60SFD , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , AOK20B135E1 , AOK20B65M1 , AOK20B65M2 , AOK30B120D2 .

 

 
Back to Top