AOKS30B60D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOKS30B60D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 34 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de AOKS30B60D1 IGBT
AOKS30B60D1 Datasheet (PDF)
aoks30b60d1.pdf
AOKS30B60D1TM600V, 30A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 600V High efficient turn-on di/dt controllability IC (TC=100C) 30A Very high switching speed VCE(sat) (TC=25C) 2.0V Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit ruggednessApplications Welding Machine
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Liste
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