AOKS30B60D1 - аналоги и описание IGBT

 

AOKS30B60D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AOKS30B60D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AOKS30B60D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOKS30B60D1 даташит

 ..1. Size:731K  aosemi
 aoks30b60d1.pdf pdf_icon

AOKS30B60D1

AOKS30B60D1 TM 600V, 30A Alpha IGBT General Description Product Summary VCE Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 600V High efficient turn-on di/dt controllability IC (TC=100 C) 30A Very high switching speed VCE(sat) (TC=25 C) 2.0V Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit ruggedness Applications Welding Machine

Другие IGBT... AOK50B65M2 , AOK60B65H1 , AOK60B65H2AL , AOK60B65HQ3 , AOK60B65M3 , AOK75B60D1 , AOK75B65H1 , AOK75B65H1V , GT30F131 , AOKS40B60D1 , AOKS40B65H1 , AOKS40B65H2AL , AOT10B60M1 , AOT10B65M1 , AOT10B65M2 , AOT10B65MQ2 , AOT15B60D .

History: STGB20NB32LZ | SGS13N60UFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.