Справочник IGBT. AOKS30B60D1

 

AOKS30B60D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOKS30B60D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AOKS30B60D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOKS30B60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  aosemi
 aoks30b60d1.pdf pdf_icon

AOKS30B60D1

AOKS30B60D1TM600V, 30A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 600V High efficient turn-on di/dt controllability IC (TC=100C) 30A Very high switching speed VCE(sat) (TC=25C) 2.0V Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit ruggednessApplications Welding Machine

Другие IGBT... AOK50B65M2 , AOK60B65H1 , AOK60B65H2AL , AOK60B65HQ3 , AOK60B65M3 , AOK75B60D1 , AOK75B65H1 , AOK75B65H1V , GT30F125 , AOKS40B60D1 , AOKS40B65H1 , AOKS40B65H2AL , AOT10B60M1 , AOT10B65M1 , AOT10B65M2 , AOT10B65MQ2 , AOT15B60D .

History: DIM800DCS12-A | BLG40T65FUL-K

 

 
Back to Top

 


 
.