AOT8B65M3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOT8B65M3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF

Encapsulados: TO220

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AOT8B65M3 datasheet

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AOT8B65M3

AOT8B65M3 TM 650V,8A Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 8A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 2.05V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

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