AOT8B65M3 Todos los transistores

 

AOT8B65M3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOT8B65M3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOT8B65M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  aosemi
 aot8b65m3.pdf pdf_icon

AOT8B65M3

AOT8B65M3TM 650V,8A Alpha IGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 8AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 2.05VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

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History: FGY100T65SCDT | AFGHL40T65SPD | MMG300Q060B6TC | IXGC16N60C2 | APT20GF120KR | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
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