AOT8B65M3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AOT8B65M3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AOT8B65M3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOT8B65M3 даташит

 ..1. Size:584K  aosemi
 aot8b65m3.pdf pdf_icon

AOT8B65M3

AOT8B65M3 TM 650V,8A Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 8A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 2.05V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

Другие IGBT... AOT10B65M2, AOT10B65MQ2, AOT15B60D, AOT15B65M3, AOT15B65MQ1, AOT20B65M1, AOT5B60D, AOT5B65M1, IKW40T120, AOTF10B60D2, AOTF10B65M1, AOTF10B65M2, AOTF10B65MQ2, AOTF15B60D2, AOTF15B65M2, AOTF15B65M3, AOTF15B65MQ1