AOT8B65M3 - аналоги и описание IGBT

 

AOT8B65M3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: AOT8B65M3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT8B65M3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры AOT8B65M3

 ..1. Size:584K  aosemi
 aot8b65m3.pdf pdf_icon

AOT8B65M3

AOT8B65M3 TM 650V,8A Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 8A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 2.05V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficiencies

Другие IGBT... AOT10B65M2 , AOT10B65MQ2 , AOT15B60D , AOT15B65M3 , AOT15B65MQ1 , AOT20B65M1 , AOT5B60D , AOT5B65M1 , NGTB75N65FL2 , AOTF10B60D2 , AOTF10B65M1 , AOTF10B65M2 , AOTF10B65MQ2 , AOTF15B60D2 , AOTF15B65M2 , AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 .

History: DIM2400ESS12-A

 

 
Back to Top

 


 
.