AOTS40B65H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOTS40B65H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 129 pF
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
AOTS40B65H1 Datasheet (PDF)
aots40b65h1.pdf
AOKS40B65H1/AOTS40B65H1TM650V, 40A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 40A High efficient turn-on di/dt controllability VCE(sat) (TJ=25C) 1.9V Very high switching speed Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit rugged
Otros transistores... AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 , AOTF20B65LN2 , AOTF20B65M1 , AOTF20B65M2 , AOTF5B65M1 , AOTF5B65M2 , AOTF8B65MQ1 , IRG4PH50UD , G50T65D , DGC20F65M2 , DGC40F120M2 , DGC40F65M2 , DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , DGC60F65M , DGC75F120M2 .
Liste
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