AOTS40B65H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOTS40B65H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.9 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 129 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 63 nC
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de AOTS40B65H1 - IGBT
AOTS40B65H1 Datasheet (PDF)
aots40b65h1.pdf
AOKS40B65H1/AOTS40B65H1TM650V, 40A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 40A High efficient turn-on di/dt controllability VCE(sat) (TJ=25C) 1.9V Very high switching speed Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit rugged
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2