AOTS40B65H1 Todos los transistores

 

AOTS40B65H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTS40B65H1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.9 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 129 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 63 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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AOTS40B65H1 Datasheet (PDF)

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AOTS40B65H1

AOKS40B65H1/AOTS40B65H1TM650V, 40A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 40A High efficient turn-on di/dt controllability VCE(sat) (TJ=25C) 1.9V Very high switching speed Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit rugged

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History: MMG600K120U6TN | SPT50N65F1A | SG35N12DT | BSM200GD60DLC | TT050U065FBC | FGH50N6S2D | SKM50GD063DL

 

 
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