Справочник IGBT. AOTS40B65H1

 

AOTS40B65H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOTS40B65H1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.9 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 63 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOTS40B65H1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTS40B65H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1051K  aosemi
 aots40b65h1.pdf pdf_icon

AOTS40B65H1

AOKS40B65H1/AOTS40B65H1TM650V, 40A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 40A High efficient turn-on di/dt controllability VCE(sat) (TJ=25C) 1.9V Very high switching speed Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit rugged

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: APT27GA90K | BLG15T65FUL-P | CM200RX-12A | T0340VB45G | BSM300GA120DN2S | IXBT42N170A | SPT10N120T1

 

 
Back to Top

 


 
.