AOTS40B65H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AOTS40B65H1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AOTS40B65H1
AOTS40B65H1 Datasheet (PDF)
aots40b65h1.pdf

AOKS40B65H1/AOTS40B65H1TM650V, 40A Alpha IGBTGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 40A High efficient turn-on di/dt controllability VCE(sat) (TJ=25C) 1.9V Very high switching speed Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Short-circuit rugged
Другие IGBT... AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 , AOTF20B65LN2 , AOTF20B65M1 , AOTF20B65M2 , AOTF5B65M1 , AOTF5B65M2 , AOTF8B65MQ1 , RGT50TS65D , G50T65D , DGC20F65M2 , DGC40F120M2 , DGC40F65M2 , DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , DGC60F65M , DGC75F120M2 .
History: IXBT42N170A | MMGT50W120XB6C | IGP30N60H3 | MMG40W120XB6TN | IXSN80N60AU1
History: IXBT42N170A | MMGT50W120XB6C | IGP30N60H3 | MMG40W120XB6TN | IXSN80N60AU1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor