DGD06F65M2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGD06F65M2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.73 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 21 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 48 nC
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
DGD06F65M2 Datasheet (PDF)
dgd06f65m2.pdf
DGD06F65M26A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor1 DescriptionUsing DongHai's proprietary Trench design and advanceFS technology, the 650V FS IGBT offers superior andswitching performances, high avalanche ruggednesseasy parallel operation2 Features FS Trench Technology, Positive temperaturecoefficient Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.73V@ I =6A
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Liste
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