DGD06F65M2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DGD06F65M2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.73 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 21 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF

Encapsulados: TO252

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DGD06F65M2 datasheet

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DGD06F65M2

DGD06F65M2 6A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.73V @ I =6A

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