DGD06F65M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGD06F65M2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.73 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DGD06F65M2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGD06F65M2 даташит

 ..1. Size:1700K  cn wxdh
 dgd06f65m2.pdf pdf_icon

DGD06F65M2

DGD06F65M2 6A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.73V @ I =6A

Другие IGBT... DGC20F65M2, DGC40F120M2, DGC40F65M2, DGC40H120M2, DGC50F65M2, DGC60F65M, DGC75F120M2, DGC75F65M, IRG4PF50W, DGE20F65M2, DGF30F65M2, DHG60T65D, G25T120D, G40N120D, G50T65DS, G50T65LBBW, DHG20T65D