DGF30F65M2 Todos los transistores

 

DGF30F65M2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DGF30F65M2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DGF30F65M2 Datasheet (PDF)

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DGF30F65M2

DGF30F65M230A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor1 DescriptionUsing DongHai's proprietary Trench design and advanceFS technology, the 650V FS IGBT offers superior andswitching performances, high avalanche ruggednesseasy parallel operation2 Features FS Trench Technology, Positive temperaturecoefficient Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.9V@ I =30A

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