DGF30F65M2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DGF30F65M2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
Encapsulados: TO220F
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DGF30F65M2 datasheet
dgf30f65m2.pdf
DGF30F65M2 30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.9V @ I =30A
Otros transistores... DGC40F65M2 , DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , DGC60F65M , DGC75F120M2 , DGC75F65M , DGD06F65M2 , DGE20F65M2 , CRG40T65AK5HD , DHG60T65D , G25T120D , G40N120D , G50T65DS , G50T65LBBW , DHG20T65D , JJT10N65SC , JJT10N65SCD .
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